การคำนวณและการวัดสมบัติเทอร์มออิเล็กทริกของสารระบบ BSCCO

บทคัดย่อ

โครงสร้างอิเล็กทรอนิกของสารระบบ BSCCOคำนวณด้วยวิธี DV-Xa บนพื้นฐานโปรแกรม  FORTRAN และ MATHEMATICA โดยการสร้างแบบจำลองกลุ่มเป็นBi₈Sr₈CuO₁₄,Bi₈Sr₂Cu₈CaO₁₈ และ Bi₈Sr₂Cu₉Ca₂O₂₂  ซึ่งแทนด้วย Bi-2201, Bi-2212 และBi-2223ตามลำดับ  การคำนวณประกอบด้วยแบบจำลองกลุ่ม ระดับพลังงาน  ความหนาแน่นสถานะ  และคอนทัวร์แม็ปโดยทำการสังเคราะห์วัสดุอสัณฐานของ Bi-Sr-Ca-Cu-O ด้วยวิธีการหลอมแล้วทำให้เย็นตัวลงอย่างรวดเร็ว การวิเคราะห์โครงสร้างผลึกด้วยเครื่องวิเคราะห์การเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์(XRD)การวัดสภาพต้านทานไฟฟ้า()และสัมประสิทธิ์ซีเบค (S)ด้วยเครื่อง ZEM-1 การวัดสภาพดูดซับความร้อน(D) ด้วยวิธีเลเซอร์แฟลชผลการวิจัยพบว่าแบบจำลองกลุ่มมีความสมมาตรที่ระดับ7 (D2h) และเวกเตอร์เฉพาะเป็น ag, b1g, b2g, b3g, au, b1u, b2u และ b3u มีช่องว่างพลังงานของแบบจำลองกลุ่ม Bi-2201, Bi-2212 และ Bi-2223 เป็น 0.962, 1.10 และ 2.06 eVผลการสังเคราะห์ของ BSCCO เป็นวัสดุอสัณฐานทั้ง3เฟส คือ Bi₂Sr₂CuO₆ (Bi-2201), Bi₂Sr₂CaCu₂O₈ (Bi-2212) และ Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀ (Bi-2223) ซึ่งยืนยันจากผลการวิเคราะห์ XRD ผลการวัดสมบัติเทอร์มออิเล็กทริกของสารระบบ  BSCCO มีค่าค่อนข้างต่ำ